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ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理

信息来源: 暂无 发布日期: 2014-09-09 浏览次数:

ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理


汤儆,田晓春,周富庆,刘跃强,林建航. 

ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理[J]. 物理化学学报,2011,(3).


摘要:用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段. 发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程. 通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化, 当扫描速率较快时, 发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行; 当扫描速率较慢时, 受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au. 通过电位阶跃实验, 验证了Au的两步沉积过程, 并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5 cm2·s-1. 将成核曲线与理论曲线对照, 得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论. 通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析, 根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.


文章链接:http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27438.shtml