不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工
汤儆, 王文华, 庄金亮, 崔晨. 不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工[J]. 物理化学学报, 2009,25(08): 1671-1677.
摘要：应用约束刻蚀剂层技术(CELT)对 GaAs 进行电化学微加工. 研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs 类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对 GaAs 刻蚀加工过程的影响. 循环伏安实验表明, Br-可以通过电化学反应生成 Br2作为刻蚀剂,L鄄胱酸可作为有效的捕捉剂. CELT 中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面, 模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时, 刻蚀剂可以对 GaAs 进行加工. 利用表面具有微凸半球阵列的导电模板, 可以在不同类型 GaAs 上加工得到微孔阵列. 实验结果表明: 在相同刻蚀条件下, GaAs 的加工分辨率与刻蚀体系中各组分的浓度比例有关, 刻蚀结构的尺寸随着刻蚀剂与捕捉剂浓度比的增加而增大; 在加工过程中, p-GaAs 相对于 n-GaAs 和无掺杂 GaAs 受到阳极氧化过程的影响较为显著, p-GaAs 表面易生成氧化层, 影响电化学微加工过程.X 射线光电子能谱(XPS)和极化曲线实验也证明了这一点.
文章链接：http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract26656.shtml
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