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N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法

信息来源:暂无发布日期: 2014-09-09浏览次数:

申 请 号:

200710144095.4

名 称:

N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法

公 开 (公告) 号:

CN101275260

主 分 类 号:

C25D7/12(2006.01)I

分 类 号:

C25D7/12(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;H01L21/445(2006.01)I

申请(专利权)人:

厦门大学

地 址:

361005福建省厦门市思明南路422号

发 明 (设计)人:

汤 儆;庄金亮;张 力;田昭武

专利 代理 机构:

厦门南强之路专利事务所

代 理 人:

马应森